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半導(dǎo)體材料鍍膜

半導(dǎo)體材料鍍膜

文字:[大][中][小] 手機(jī)頁(yè)面二維碼 2022/5/10     瀏覽次數(shù):    

本公司可提供多種鍍膜方式:MBE(分子束外延)/ALD(原子層沉積)/Magnetron sputtering(磁控濺射鍍膜)等。

MBE(分子束外延):外延溫度低,膜層生長(zhǎng)速率慢,束流強(qiáng)度易于準(zhǔn)確控制,膜層組分和摻雜濃度可隨源的變化而迅速調(diào)整。可制備薄到幾十個(gè)原子層的單晶薄膜,以及交替生長(zhǎng)不同組分、不同摻雜的薄膜而形成的超薄層量子阱微結(jié)構(gòu)材料。

ALD(原子層沉積):是一種基于有序、表面自飽和反應(yīng)的化學(xué)氣相薄膜沉積技術(shù),所制備薄膜具有優(yōu)良的三維共形性、大面積的均勻性等特點(diǎn),適應(yīng)于復(fù)雜高深寬比襯底表面沉積制膜,同時(shí)還能保障正確的亞單層膜厚控制。

Magnetron sputtering(磁控濺射鍍膜):利用Ar離子轟擊靶材,產(chǎn)生陰極濺射,把靶材原子濺射到工件上形成沉積層的一種鍍膜技術(shù)。幾乎所有材料都可以通過(guò)磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成。


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